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67777.com香山科学会议聚焦宽禁带半导体

文章作者:产品测评 上传时间:2019-12-01

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香山科学会议聚焦宽禁带半导体
或将掀起新一轮信息和能源技术革命

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本报讯“随着第三代半导体材料、器件及应用技术不断取得突破,甚至可能在21世纪上半叶,导致一场新的信息和能源技术革命。”在11月8日召开的以“宽禁带半导体发光的发展战略”为主题的第641次香山科学会议上,与会专家指出,宽禁带半导体核心技术一旦解决,必将引起应用格局的巨大改变。

2017年9月24日,南京大学电子科学与工程学院修向前教授承担的国家重点研发计划战略性电子材料重点专项“第三代半导体核心关键装备”项目启动会在青岛召开。此次会议是在科技部高技术中心指导下,由南京大学主办,山东大学和青岛铝镓光电半导体有限公司协办。科技部高技术中心专项办领导,南京大学校领导、总体组责任专家、项目咨询专家,项目负责人、课题负责人及科研骨干等40余人参加了会议。

如今,半导体发展已经历了三代的变革,极大地影响了社会发展进程。以硅为代表的第一代半导体的发展带来了微型计算机、集成电路的出现和整个信息产业的飞跃。第二代半导体砷化镓和磷化铟等的出现促成了信息高速公路的崛起和社会的信息化。第三代半导体材料是指氮化镓、碳化硅、氧化锌等宽禁带半导体材料。

会议开始,南京大学校长助理孙冶东首先代表项目牵头单位致欢迎辞,他对高技术中心和各位咨询专家对南京大学的支持表示感谢,并为项目咨询专家颁发了聘书。他介绍了2017年南京大学共获得国家重点研发计划项目11项,学校将认真履行项目牵头单位的法人责任,健全和完善内部管理制度,确保该项目的顺利进行和圆满完成。

本次会议执行主席,中科院长春光机所研究员申德振和中科院半导体所研究员、中国科学院院士夏建白先后做了主题评述报告。报告指出,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料由于禁带宽度大,所以具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性能,因此在短波发光/激光、探测等光电子器件和高温、高压、高频大功率的电子电力器件领域有广阔的应用前景,其不仅能在更高的温度下稳定运行,而且在高电压、高频率状态下更为耐用和可靠。

随后,科技部高技术中心材料处史冬梅处长代表专项办做了重要讲话,她希望项目牵头单位南京大学认真履行项目牵头单位法人责任,加强对项目实施的组织管理和经费预算管理,落实项目保障条件,积极配合上级管理部门,做好项目实施和管理。

宽禁带半导体在深紫外发光与激光方面优势明显,其中,III族氮化物成为其在深紫外光源领域研究的主要代表,尤其是氮化镓基蓝光发光二极管的发明,引起人类照明光源的革新。日本科学家赤崎勇、天野浩和美籍日裔科学家中村修二也因此获得2014年诺贝尔物理学奖,这掀起了宽禁带半导体在深紫外发光与激光研发的热潮,并带来了巨大的经济和社会效益。

然后项目负责人修向前教授作为项目首席科学家介绍了项目总体情况及项目实施方案,表达了项目团队将群策群力,共同努力完成第三代半导体核心关键装备研发任务的信心。第三代半导体产业技术与创新战略联盟理事长吴玲研究员等项目咨询专家对项目的实施也提出了很多宝贵意见。专家们提议核心关键装备技术的研究要与用户实际需求相结合,为将来国产装备的落地找好“出口”。

申德振指出,我国在氮化镓基短波LED领域整体水平与美日等发达国家差距明显,主要体现在高质量的氮化镓和氮化铝同质单晶衬底和低缺陷密度铝镓氮的外延生长与高铝组分铝镓氮掺杂工艺等难题。此外,另一种宽禁带半导体材料氧化锌具有高的激子束缚能和优异的光学特性,是实现深紫外激光器件的理想材料,将成为铝镓氮在深紫外光电领域应用的重要补充,但其目前发展严重受限于P型掺杂技术。

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